職位描述
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職位描述:
職責描述:
任職要求:1、必須有3年以上半導體單晶晶體生長研發工作經驗,熟悉半導體晶體生長原理和單晶生長設備,從事過鍺、硅、砷化鎵、磷化銦、碳化硅等半導體晶體生長工藝開發、單晶生長熱場模擬設計、單晶生長自動控制設計等工作的優先。
2、碩士及以上學歷,凝固態物理、材料學、半導體物理、控制系統及工程等專業;
3、能夠承受壓力,認真負責,具備良好的溝通能力、書面表達能力及分析解決問題的能力。
職責描述:
任職要求:1、必須有3年以上半導體單晶晶體生長研發工作經驗,熟悉半導體晶體生長原理和單晶生長設備,從事過鍺、硅、砷化鎵、磷化銦、碳化硅等半導體晶體生長工藝開發、單晶生長熱場模擬設計、單晶生長自動控制設計等工作的優先。
2、碩士及以上學歷,凝固態物理、材料學、半導體物理、控制系統及工程等專業;
3、能夠承受壓力,認真負責,具備良好的溝通能力、書面表達能力及分析解決問題的能力。
工作地點
地址:南京溧水區南京


職位發布者
HR
中鍺科技有限公司

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電子技術·半導體·集成電路
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200-499人
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公司性質未知
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南京市溧水縣經濟開發區中興東路9號